山�ｱ　舜平、杉村　ゆり子、香川　一郎

　ゲート絶縁膜内に電荷捕獲中心をもつ絶縁ゲート形電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリが注目されている。しかし、かかる記憶作用の本質である電荷捕獲中心が何であるか、それはいかなる手段方法で制御されるべきであるかについては、必ずしも明らかではなかった。

　ここでは、絶縁膜内に存在するクラスタ（かたまり）が、電荷捕獲中心として作用すること、および電荷捕獲中心密度その他の物性的なパラメータの制御を行うため絶縁膜を気相法(CVD法)で作製するさい、触媒を利用して反応性気体を化学的に活性にし、ひいては被膜中のクラスタの大きさ、密度を制御することを試みたその結果を解説したものである。さらに、これらの結果に基づき、不揮発性メモリの理想的な構造を提案している。

『1972年　エレクトロニクス６月号より抜粋』