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2009 IVAiƒXƒEƒF[ƒfƒ“‰¤—§HŠw‰ÈŠwƒAƒJƒfƒ~[jŠO‘l‰ïˆõ
2008 ®Žø–JÍ
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2004 ƒMƒlƒX¢ŠE‹L˜^i“Á‹–Žæ“¾”¢ŠEˆêj
2003 ŽÐ’c–@l”­–¾‹¦‰ï@•½¬15”N“x‘S‘”­–¾•\²@”­–¾§—ãŒ÷˜JÜ
1997 އ޸–JÍ
1996 ®Žø–JÍ
1995 ®Žø–JÍ
1990 ‰ÈŠw‹Zp’¡@‘æ32‰ñ‰ÈŠw‹ZpŒ÷˜JŽÒ•\²@‰ÈŠw‹Zp’¡’·Š¯Ü
1985 à’c–@l‰Á“¡‰ÈŠwU‹»‰ï@‰Á“¡‹L”OÜ
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1976 ŽÐ’c–@l”­–¾‹¦‰ï@º˜a51”N“x‘S‘”­–¾•\²@”­–¾Ü



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1970 Japanese Journal of Applied Physics Silicon Nitride Prepared by the SiH4-NH3Reaction with Catalysts
1971 “dŽq’ÊMŠw‰ï
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1972 ƒGƒŒƒNƒgƒƒjƒNƒX6ŒŽ† ”¼“±‘Ì•sŠö”­«ƒƒ‚ƒŠ‚Ì–{Ž¿‚̳‘Ì
1973

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Properties of Nonvolatile Semiconductor Memories by Using Silicon Clusters in the Gate Insulator
1974 “dŽqÞ—¿6ŒŽ† ”¼“±‘̃Nƒ‰ƒXƒ^ƒmƒ“ƒ{ƒ‰ƒ^ƒCƒ‹ƒƒ‚ƒŠ
1975 “dŽqÞ—¿4ŒŽ† •sŠö”­«”¼“±‘̃ƒ‚ƒŠ‚̃ƒJƒjƒYƒ€


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