この教えに大変感銘を受け、その意志継承の場として当社を設立し、運営しています。当社は1980年設立当初から、創造的な研究開発と特許取得を行い、製造は行わないユニークな企業です。特に低温結晶系薄膜トランジスタでは世界トップクラスの精鋭された技術を持ち、これらの基本特許を多数取得しています。そして研究から特許取得、権利行使に至るまでの一連の業務を全て自社で行っていますので世の中のニーズに合ったテーマで研究開発から特許取得までをすることができます。またこれらのノウハウを持つ社員こそが当社最大の資産と言えるでしょう。

　エレクトロニクス業界では、技術が日々目まぐるしく進化しています。当社の研究成果を特許取得し、適切に権利行使することで、社会に貢献できると考えています。人生に一度あるかないかの、この大きな研究に携わることができるのは、研究者冥利に尽きると言えるでしょう。私ども社員の熱いエネルギーを生み出すものが少しでも社会に貢献できれば幸いです。

大学時代に加藤与五郎博士を師と仰ぎ、創造教育を受けました。その成果として、大学院を修了する29歳までにMOS型LSI技術を中心として、130件を超える特許を出願しました。当社設立後も特許を取得し続け、2004年5月現在3,245件の特許取得件数を有し、その件数が世界一多いということで、ギネスブックに認定されています｡創造教育の思想を持つ社長に当社の求心力があります。

● ● ● 表彰歴 ● ● ● 2010 財団法人大河内記念会　大河内記念技術賞 2010 IEEEフェロー 2009 IVA（スウェーデン王立工学アカデミー）外国人会員 2008 紺綬褒章 2005 紺綬褒章 2004 ギネス世界記録（特許取得数世界一） 2003 社団法人発明協会　平成15年度全国発明表彰　発明奨励功労賞 1997 紫綬褒章 1996 紺綬褒章 1995 紺綬褒章 1990 科学技術庁　第32回科学技術功労者表彰　科学技術庁長官賞 1985 財団法人加藤科学振興会　加藤記念賞 1984 日本赤十字社金色有功章 1984 米国セラミックス学会　フルラス賞 1976 社団法人発明協会　昭和51年度全国発明表彰　発明賞

■ 半導体装置や薄膜トランジスタなどの分野において、3,245件（米国 　　特許件数1,200件、米国外特許件数2,045件、ともに2004年5月31日 　　時点）の特許を世界各国で取得し、この特許取得数がギネス記録と 　　して認定されました。

■ MOS型LSI素子技術を開発した実績により、 　　紫綬褒章を受章いたしました。