1980 |
資本金2000万円にて(株)半導体エネルギー研究所を東京都世田谷区に設立 |
1982 |
ステンレス基板を用いてNIP型アモルファス太陽電池にて1cm2当たりの光電変換効率8.01%/AM1(100mW/cm2)を達成、世界一となる
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1984 |
レーザスクライブ法による太陽電池の開発に世界で初めて成功 |
1984 |
100cm2の大面積のガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池の作製に関し、1バッチ当たりの平均光電変換効率にして8.67%、最高9.41%を達成、大面積の基準にて世界一を達成
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1984 |
光CVD装置の製造販売を開始
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■ 光CVD装置 hγ-2 |
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1985 |
資本金を5000万円に増資 |
1985 |
平均光電変換効率9.90%(100cm2)達成、世界一の記録を更新 |
1985 |
神奈川県厚木市に本社・研究所を移転
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■ 厚木移転時の社屋 |
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1986 |
世界初のダイヤモンド成膜装置を開発、販売開始
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■ ダイヤモンド成膜装置 μH-2 |
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1987 |
第1回豪大陸縦断ワールド・ソーラー・チャレンジに参加
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■ ソーラーカー |
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1989 |
通産省のプロジェクトである(株)ジーティーシーに資本参加
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1990 |
資本金を4億8000万円に増資
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1990 |
第2回ワールド・ソーラー・チャレンジに参加
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1990 |
光電変換効率12.29%(1.05cm2)達成、世界一の記録更新
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1990 |
超伝導米国特許件数が第3位となる
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1991 |
光電変換効率12.65%(1.05cm2)達成、世界一の記録更新
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1991 |
多結晶TFTモビリティー329cm2/Vsecの世界一の記録達成
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1992 |
線状レーザー結晶化システム(LS-6)完成
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■ 線状レーザー結晶化システム LS-6 |
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1993 |
薄膜集積回路試作用設備投資を行う
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1993 |
フレキシブル型太陽電池をTDK(株)より商品化
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1995 |
アクティブ型有機EL(エレクトロルミネッセンス)をTDK(株)より発表
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1998 |
世界初のCGS(連続粒界結晶シリコン)技術をシャープ(株)とともに発表
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■ CGS(濃茶:アモルファス状態 薄茶:結晶状態) |
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■ CGS TFT 液晶パネル(画素数1280×1024) |
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2000 |
CEATEC JAPANでアクティブ型有機ELを発表 |
2001 |
有機EL用TFT基板の生産・販売のための合弁会社、エルディス(株)(資本金100億円)を東北パイオニア(株)、シャープ(株)とともに設立
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2001 |
MIT Technology Review誌(マサチューセッツ工科大学発行)による米国特許を中心とした技術評価で世界10位(半導体分野)にランクイン
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2002 |
MIT Technology Review誌(マサチューセッツ工科大学発行)による米国特許を中心とした技術評価で世界7位(半導体分野)にランクイン
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2002 |
ガラス基板上にCPUを形成する技術をシャープ(株)とともに発表
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■ ガラス基板上CPU |
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2002 |
シャープ(株)にてCGシリコンの量産開始 |
2003 |
資本金を43億4800万円に増資 |
2003 |
IPセンター 増築 |
2003 |
MIT Technology Review誌(マサチューセッツ工科大学発行)による米国特許を中心とした技術評価で世界6位(半導体分野)にランクイン
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2003 |
フラットパネルディスプレイ製造技術展(通称:ファインテック・ジャパン)でエルディス(株)、東北パイオニア(株)との共同ブースにてデュアルエミッション有機ELディスプレイを展示
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2003 |
世界最高密度の188ppi(26万色)を達成した4.3インチVGA有機ELパネルを開発、発表
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2004 |
世界で初めてCPUをプラスチック基板上に形成し、駆動に成功
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2004 |
MIT Technology Review誌(マサチューセッツ工科大学発行)による米国特許を中心とした技術評価で世界7位(半導体分野)にランクイン |
2004 |
世界最高画素密度の423ppi(開口率75%)を達成した1.5インチQXGA有機ELパネルを開発、発表
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2005 |
IEDM(国際電子デバイス会議)にてフレキシブル基板上・ガラス基板上にRFCPUを形成することに成功したことを発表 |
2006 |
100%出資子会社AFD Inc.(株)(現アドバンストフィルムデバイスインク(株))を設立
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2006 |
IEEE Spectrum誌(米国電気電子技術者学会発行)による米国特許の技術評価で世界4位(半導体製造分野)にランクイン
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2007 |
ISSCC(国際固体素子回路会議)にて、フレキシブル基板上・ガラス基板上のCPUで世界初UHF帯域(915MHz)の通信信号の動作に成功したことを発表
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2007 |
国際規格「ISO/IEC27001」の認証取得
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2007 |
IEEE Spectrum誌(米国電気電子技術者学会発行)による米国特許の技術評価で世界5位(半導体製造分野)にランクイン
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2007 |
CEATEC JAPAN2007で超薄型フレキシブルRFIDタグをTDK株式会社と共同で展示
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2008 |
IEEE Spectrum誌(米国電気電子技術者学会発行)による米国特許の技術評価で世界4位(半導体製造分野)にランクイン
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2008 |
Cartes & IdentificationでフレキシブルRFIDをAFDInc株式会社と共同で展示
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2009 |
SID2009で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表
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2009 |
AM-FPD’09で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表、Best Paper Awardを受賞
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2010 |
SID 2010で発表(予定) ● 酸化物半導体(OS) 5件 ● 有機EL照明 2件 |