|
1980 |
資本金2000万円にて(株)半導体エネルギー研究所を東京都世田谷区に設立 |
||||
1982 |
ステンレス基板を用いてNIP型アモルファス太陽電池にて1ｃｍ2当たりの光電変換効率8.01％／AM1（100mW/ｃｍ2）を達成、世界一となる |
||||
1984 |
レーザスクライブ法による太陽電池の開発に世界で初めて成功 | ||||
1984 |
100ｃｍ2の大面積のガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池の作製に関し、1バッチ当たりの平均光電変換効率にして8.67％、最高9.41％を達成、大面積の基準にて世界一を達成 |
||||
1984 |
光CVD装置の製造販売を開始
|
||||
1985 |
資本金を5000万円に増資 | ||||
1985 |
平均光電変換効率9.90%（100cm2）達成、世界一の記録を更新 | ||||
1985 |
神奈川県厚木市に本社・研究所を移転
|
||||
1986 |
世界初のダイヤモンド成膜装置を開発、販売開始
|
||||
1987 |
|
||||
1989 |
通産省のプロジェクトである(株)ジーティーシーに資本参加 |
||||
1990 |
資本金を4億8000万円に増資 |
||||
1990 |
第2回ワールド・ソーラー・チャレンジに参加 |
||||
1990 |
光電変換効率12.29％(1.05ｃｍ2)達成、世界一の記録更新 |
||||
1990 |
超伝導米国特許件数が第3位となる |
||||
1991 |
光電変換効率12.65％(1.05ｃｍ2)達成、世界一の記録更新 |
||||
1991 |
多結晶TFTモビリティー329ｃｍ2/Ｖｓｅｃの世界一の記録達成 |
||||
1992 |
線状レーザー結晶化システム（LS-6）完成
|
||||
1993 |
薄膜集積回路試作用設備投資を行う |
||||
1993 |
フレキシブル型太陽電池をTDK(株)より商品化 |
||||
1995 |
アクティブ型有機EL（エレクトロルミネッセンス）をTDK(株)より発表 |
||||
1998 |
世界初のCGS(連続粒界結晶シリコン)技術をシャープ(株)とともに発表
|
||||
2000 |
CEATEC JAPANでアクティブ型有機ELを発表 | ||||
2001 |
有機EL用TFT基板の生産・販売のための合弁会社、エルディス(株)（資本金100億円）を東北パイオニア(株)、シャープ(株)とともに設立 |
||||
2001 |
MIT Technology Review誌（マサチューセッツ工科大学発行）による米国特許を中心とした技術評価で世界10位（半導体分野）にランクイン |
||||
2002 |
MIT Technology Review誌（マサチューセッツ工科大学発行）による米国特許を中心とした技術評価で世界7位（半導体分野）にランクイン |
||||
2002 |
ガラス基板上にCPUを形成する技術をシャープ(株)とともに発表
|
||||
2002 |
シャープ(株)にてCGシリコンの量産開始 | ||||
2003 |
資本金を43億4800万円に増資 | ||||
2003 |
IPセンター 増築 | ||||
2003 |
MIT Technology Review誌（マサチューセッツ工科大学発行）による米国特許を中心とした技術評価で世界6位（半導体分野）にランクイン |
||||
2003 |
フラットパネルディスプレイ製造技術展（通称：ファインテック・ジャパン）でエルディス(株)、東北パイオニア(株)との共同ブースにてデュアルエミッション有機ELディスプレイを展示 |
||||
2003 |
世界最高密度の188ppi（26万色）を達成した4.3インチVGA有機ELパネルを開発、発表 |
||||
2004 |
世界で初めてCPUをプラスチック基板上に形成し、駆動に成功 |
||||
2004 |
MIT Technology Review誌（マサチューセッツ工科大学発行）による米国特許を中心とした技術評価で世界7位（半導体分野）にランクイン | ||||
2004 |
世界最高画素密度の423ppi（開口率75%）を達成した1.5インチQXGA有機ELパネルを開発、発表 |
||||
2005 |
IEDM（国際電子デバイス会議）にてフレキシブル基板上・ガラス基板上にRFCPUを形成することに成功したことを発表 | ||||
2006 |
100％出資子会社AFD Inc.(株)（現アドバンストフィルムデバイスインク(株)）を設立 |
||||
2006 |
IEEE Spectrum誌（米国電気電子技術者学会発行）による米国特許の技術評価で世界4位（半導体製造分野）にランクイン |
||||
2007 |
ISSCC（国際固体素子回路会議）にて、フレキシブル基板上・ガラス基板上のCPUで世界初UHF帯域（915MHz）の通信信号の動作に成功したことを発表 |
||||
2007 |
国際規格「ISO/IEC27001」の認証取得 |
||||
2007 |
IEEE Spectrum誌（米国電気電子技術者学会発行）による米国特許の技術評価で世界5位（半導体製造分野）にランクイン |
||||
2007 |
CEATEC JAPAN2007で超薄型フレキシブルRFIDタグをTDK株式会社と共同で展示 |
||||
2008 |
IEEE Spectrum誌（米国電気電子技術者学会発行）による米国特許の技術評価で世界4位（半導体製造分野）にランクイン |
||||
2008 |
Cartes & IdentificationでフレキシブルRFIDをAFDInc株式会社と共同で展示 |
||||
2009 |
SID2009で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表 |
||||
2009 |
AM-FPD’09で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表、Best Paper Awardを受賞 |
||||
2010 |
SID 2010で発表 ● 酸化物半導体(OS) 5件 ● 有機EL照明 2件 |
||||
2010 |
国際規格「ISO9001」の認証取得 |
  |
