沿革

History

創業(1980年)~1990年
1980年 資本金2000万円にて株式会社半導体エネルギー研究所を東京都世田谷区に設立
1982年 ステンレス基板を用いたNIP型アモルファス太陽電池にて光電変換効率8.01%/AM1(100mW/cm2)を達成、世界一となる
1984年 レーザスクライブ法による太陽電池の開発に世界で初めて成功
100cm2の大面積のガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池の作製に関し、1バッチ当たりの平均光電変換効率にして8.67%、最高9.41%を達成、大面積の基準にて世界一を達成

光CVD装置の製造販売を開始

光CVD装置 hγ-2

■ 光CVD装置 hγ-2

1985年 資本金を5000万円に増資
ガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池にて、平均光電変換効率9.90%(100cm2)達成、世界一の記録を更新

神奈川県厚木市に本社・研究所を移転

厚木移転時の社屋 ■ 厚木移転時の社屋
1986年

世界初のダイヤモンド成膜装置を開発、販売開始

ダイヤモンド成膜装置μH-2■ ダイヤモンド成膜装置 μH-2
1987年

第1回豪大陸縦断ワールド・ソーラー・チャレンジに参加

ソーラーカー■ ソーラーカー
1989年 通産省のプロジェクトである株式会社ジーティーシーに資本参加
1990年 資本金を4億8000万円に増資
第2回豪大陸縦断ワールド・ソーラー・チャレンジに参加
ガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池にて、光電変換効率12.29%(1.05cm2)達成、世界一の記録更新
超伝導米国特許件数が第3位となる
1991年~1995年
1991年 光電変換効率12.65%(1.05cm2)達成、世界一の記録更新
多結晶TFTモビリティー329cm2/Vsecの世界一の記録達成
1992年

線状レーザー結晶化システム(LS-6)完成

線状レーザー結晶化システムLS-6 ■ 線状レーザー結晶化システム LS-6
1993年 薄膜集積回路試作用設備投資を行う
フレキシブル型太陽電池をTDK株式会社より商品化
1995年 世界初のアクティブ型有機EL(エレクトロルミネッセンス)をTDK株式会社より発表
1996年~2000年
1998年

世界初のCGS(連続粒界結晶シリコン)技術をシャープ株式会社とともに発表、システム・オン・パネルへの道を開く

CGS(濃茶:アモルファス状態 薄茶:結晶状態)

■ CGS(濃茶:アモルファス状態 薄茶:結晶状態)


CGS TFT 液晶パネル(画素数1280×1024)

■ CGS TFT 液晶パネル(画素数1280×1024)

2000年 CEATEC JAPANでアクティブ型有機ELを発表
2001年~2005年
2001年 有機EL用TFT基板の生産・販売のための合弁会社、エルディス株式会社(資本金100億円)を東北パイオニア株式会社、シャープ株式会社とともに設立
2002年

ガラス基板上にCPUを形成する技術をシャープ株式会社とともに発表

ガラス基板上CPU■ ガラス基板上CPU
シャープ株式会社にてCGシリコンの量産開始
2003年 資本金を43億4800万円に増資
IPセンター 増築
フラットパネルディスプレイ製造技術展(通称:ファインテック・ジャパン)でエルディス株式会社、東北パイオニア株式会社との共同ブースにてデュアルエミッション有機ELディスプレイを展示
世界最高密度の188ppi(26万色)を達成した4.3インチVGA有機ELパネルを開発、発表
2004年 世界で初めてCPUをプラスチック基板上に形成し、駆動に成功

■プラスチック基板上CPU
世界最高画素密度の423ppi(開口率75%)を達成した1.5インチQXGA有機ELパネルを開発、発表
2005年 曲がる無線回路を開発・駆動に成功
IEDM(国際電子デバイス会議)にてフレキシブル基板上・ガラス基板上にRFCPUを形成することに成功したことを発表
2006年~2010年
2006年 100%出資子会社 アドバンスト フィルム ディバイス インク株式会社を設立
2007年 ISSCC(国際固体素子回路会議)にて、フレキシブル基板上・ガラス基板上のCPUで世界初UHF帯域(915MHz)の通信信号の動作に成功したことを発表

■RFCPU
国際規格「ISO/IEC27001」の認証取得
CEATEC JAPAN2007で超薄型フレキシブルRFIDタグをTDK株式会社と共同で展示
2008年 Cartes & IdentificationでフレキシブルRFIDをアドバンスト フィルム ディバイス インク株式会社と共同で展示
2009年 SID 2009で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表
AM-FPD’09で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表、Best Paper Awardを受賞
2010年 SID 2010で発表
● 酸化物半導体(OS) 5件
● 有機EL照明 2件
国際規格「ISO9001」の認証取得
2011年~2015年
2011年

3rd International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistorsにおいて、酸化物半導体(OS)TFTに関して発表、Best Poster Awardを受賞

2012年 酸化物半導体の新技術C軸配向結晶(CAAC®:C-Axis Aligned Crystal)をシャープ株式会社と共同開発、発表
原理的に劣化しない不揮発性メモリを内蔵したCPUを発表
FPD International 2012にてCAAC-OS®採用のディスプレイパネル及びノンディスプレイ応用の試作品展示(シャープ株式会社と共同出展)
シャープ株式会社よりSELと共同開発のCAAC-OSを用いたスマートフォン販売開始
2013年 SID2013 The Display Industry Awards Display of the Year部門 金賞
『シャープ株式会社製スマートフォンに搭載の酸化物半導体IGZOを用いた液晶ディスプレイ』(シャープ株式会社と共同受賞)

SSDM2013にて発表、CAAC-OSを組み込んだCPUに関する論文がPaper Awardを受賞
FPD International 2013に出展、「酸化物半導体応用のフレキシブルディスプレイ/照明/電池」で「FPD International 2013 アワード 優秀賞」を受賞

■FPD International 2013展示品
「ウェアラブル機器用フレキシブルバッテリー」
第27回 中日産業技術賞 経済産業大臣賞
『酸化物半導体採用の液晶パネル『IGZO』の量産化』(シャープ株式会社と共同受賞)
2014年 SID2014にて、CAAC-OS FET採用の有機ELディスプレイに関して発表、Distinguished Paper Awardを受賞
Display Innovation 2014に出展、「超高精細と超薄型フレシブルの有機ELディスプレイ」で「Display Innovation アワード大賞」を受賞

■Display Innovation 2014展示品
「8.7型タッチセンサ内臓3つ折りディスプレイ」
2015年 NHKによる8Kプロモーションに協力し、13.3型8K OLEDディスプレイをIBC Content Everywhere MENA 2015等の各種展示会で展示

■13.3型8K OLEDディスプレイ
CAAC-IGZO®の発見等の業績が認められ、山﨑社長が2015 SID Special Recognition Awardを受賞
SID2015にて、「フレキシブルOLEDディスプレイの製造装置」、「OS-FETを用いた新規画素回路」について発表し、Distinguished Paper Awardを受賞
2016年~現在
2016年 CAAC-IGZOの発見とその商品化により、SELとシャープ株式会社がACerS Corporate Technical Achievement Awardを共同受賞
酸化物半導体技術等への貢献により、山﨑社長がACerS Medal for Leadership in the Advancement of Ceramic Technologyを受賞

※ CAAC、CAAC-OS、CAAC-IGZOは半導体エネルギー研究所の登録商標です。
(商標登録第5473530号、第5473535号、第5494218号)