ご挨拶

Message from the President
山﨑舜平

半導体エネルギー研究所は1980年、太陽電池の研究開発からその歴史をスタートさせました。その後、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、薄膜集積回路と研究開発のテーマを広げ、現在では酸化物半導体を用いた新たなエレクトロニクス分野の開拓に注力しております。

当社において、研究開発とは世界の進歩に貢献する唯一の術であり、開発の成果である技術を特許の形で世界中に発信することで、研究開発専門企業としての存在を確かなものにしています。特許を取得し活用することで、国際化の流れが進む中、我が国の高い技術を守ることが可能となるのです。

創設以来、当社の研究開発の根幹には、「『なぜ』をくりかえし、本質的な原理・原因を追究する」、「お客様の求める商品にまで技術を仕上げる」理念が貫かれています。そして、感謝の念を忘れず、清い心をもって問題に立ち向かう姿勢が何よりも大切です。清い心をもって臨まなければ、世の中のためになる発明は生まれないと考えるからです。

資源の乏しい日本において、技術の創造で生きる。技術を世界中に発信しながらも日本の発展の一助を担うことを目指し、日々切磋琢磨を続けています。当社が創造した技術が、これからの日本の、世界の技術の発展に貢献します。



山﨑社長の紹介

1967年、同志社大学大学院工学研究科修士課程修了。同大学院在学中の1970年に『フラッシュメモリ』として知られる不揮発性メモリを発明。以来、シリコン関連テクノロジーの研究開発に従事。1971年工学博士取得、東京電気化学工業株式会社(現TDK株式会社)入社。1980年に株式会社半導体エネルギー研究所(SEL)を設立し、代表取締役就任。
2007年に英国Synectics社の発表する「世界の100人の生きている天才」で第58位に選ばれる。IEEE (米国電気電子学会) ライフフェロー、IVA (スウェーデン王立工学科学アカデミー) 外国人会員。同志社大学名誉文化博士、同志社社友。

略歴及び表彰歴

2016年 米国セラミック協会  Medal for Leadership in the Advancement of Ceramic Technology  (酸化物半導体技術及び省エネルギーディスプレイデバイスへの貢献)
ギネス世界記録™更新(特許取得数世界一)
2015年 2015 SID Special Recognition Award (CAAC-IGZO®の発見と実用化の牽引)
同志社社友
2013年 紺綬褒章
2011年 同志社大学 名誉文化博士
IEEE(米国電気電子学会)ライフフェロー
ギネス世界記録™更新(特許取得数世界一)
2010年 社団法人発明協会 平成22年度全国発明表彰 発明賞
財団法人大河内記念会 第56回大河内賞大河内記念技術賞
IEEE(米国電気電子学会)フェロー
2009年 紺綬褒章
IVA(スウェーデン王立工学科学アカデミー)外国人会員
2008年 紺綬褒章
2007年 英国Synectics社「世界の100人の生きている天才」58位
2005年 紺綬褒章
2004年 ギネス世界記録™(特許取得数世界一)
2003年 社団法人発明協会 平成15年度全国発明表彰 発明奨励功労賞
1997年 紫綬褒章(MOS型LSI素子技術を開発)
1996年 紺綬褒章
1995年 紺綬褒章(日本赤十字社へ私財を寄付)
1990年 科学技術庁 第32回科学技術功労者表彰 科学技術庁長官賞
1985年 財団法人加藤科学振興会 加藤記念賞
1984年 日本赤十字社金色有功章
米国セラミックス学会 フルラス賞(MIS 構造の研究)
1980年 株式会社半導体エネルギー研究所設立 代表取締役に就任
1976年 社団法人発明協会 昭和51年度全国発明表彰 発明賞
1971年 東京電気化学工業株式会社(現TDK 株式会社)入社
同志社大学大学院博士課程 工学博士取得
1970年 フラッシュメモリの基本デバイスを発明(特許第886343号(特公昭50-36955))
1967年 同志社大学大学院工学研究科修士課程修了

※ CAAC-IGZO は、半導体エネルギー研究所の登録商標です (商標登録第5494218号)。
※「ギネス世界記録™」はギネスワールドレコーズリミテッドの登録商標です。



紫綬褒章


紫綬褒章■MOS型LSI素子技術を開発した実績により、紫綬褒章を受章いたしました。

当社設立前の主な発表論文

1970年 Japanese Journal of Applied Physics

Silicon Nitride Prepared by the SiH4-NH3Reaction with Catalysts

1971年 電子通信学会全国大会 セルフアライン・ゲート・リード・FETに関する一考察
1972年 エレクトロニクス6月号 半導体不揮発性メモリの本質の正体
1973年 IEDM(国際電子デバイス会議) Properties of Nonvolatile Semiconductor Memories by Using Silicon Clusters in the Gate Insulator
1974年 電子材料6月号 半導体クラスタノンボラタイルメモリ
1975年 電子材料4月号 不揮発性半導体メモリのメカニズム