技術紹介:CAAC-OS®技術


当社では低温(300℃以下)で形成可能な結晶性IGZO薄膜において、結晶のab軸方向には配向性を持たないが、c軸が膜表面に対して垂直に配向し、お互い繋がり合って均一性に優れた結晶形態(CAAC)を発見しました。これは歪みの無い単結晶とも、明確な結晶粒界を持つ多結晶とも異なる、全く新しい結晶形態です。

また当社では、超LSIに応用可能なチャネル長30nm (チャネル幅30nm) の微細化CAAC-IGZO FETの作製に、世界で初めて成功しました。今後もCAAC-OSの特性を活かした新しいデバイス開発に取り組んでいきます。

結晶学的特徴

IGZO結晶構造(3D分子モデル)
※上記図はマウス操作で回転・拡大/縮小させることができます。
(回転…図を選択したまま任意の方向へドラック、拡大/縮小…ホイールを前後に回転)
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CAAC-IGZO FET断面 STEM写真

CAAC-IGZO FETの極小オフリーク電流



※ OSFET, CAAC, CAAC-OS, CAAC-IGZO, NOSRAM, DOSRAMは半導体エネルギー研究所の登録商標です。
(商標登録第5473530号、第5473535号、第5494218号、第5529056号、第5519752号)